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等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

簡要描述↟·•··:

等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)是藉助於放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應▩☁•,從而實現薄膜材料生長的一種新的製備技術☁↟•。由於PECVD技術是透過應氣體放電來製備薄膜的▩☁•,有效地利用了非平衡等離子體的反應特徵▩☁•,從根本上改變了反應體系的能量供給方式☁↟•。

型號↟·•··:

城市↟·•··:上海市

訪問量↟·•··:3768

更新時間↟·•··:2021-11-18

線上留言
等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)
  一◕✘╃₪╃、等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)的應用↟·•··:
  PECVD工藝中由於等離子體中高速執行的電子撞擊到中性的反應氣體分子▩☁•,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於啟用的狀態容易發生反應;藉助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體▩☁•,在區域性形成離子體▩☁•,而等離子體化學活性很強▩☁•,很容易反應▩☁•,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低◕✘╃₪╃、沉積速率快◕✘╃₪╃、成膜質量好◕✘╃₪╃、針孔較少◕✘╃₪╃、不易龜裂等優點;
 
  二◕✘╃₪╃、產品特點↟·•··:
  1◕✘╃₪╃、整機採用SUS304不鏽鋼材質▩☁•,流線型外觀▩☁•,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛▩☁•,保溫效能好☁↟•。
  2◕✘╃₪╃、爐子底部裝有一對滑軌▩☁•,移動平穩▩☁•,可以手動從一端滑向另一端▩☁•,實現快速的加熱和冷卻☁↟•。爐蓋可開啟▩☁•,可以實時觀察加熱的物料☁↟•。
   3◕✘╃₪╃、採用高純石英管▩☁•,高溫下化學穩定性強▩☁•,耐腐蝕▩☁•,熱膨脹係數極小☁↟•。
  4◕✘╃₪╃、採用SUS304不鏽鋼快速法蘭▩☁•,透過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空▩☁•,一個卡箍就能完成法蘭的連線▩☁•,放◕✘╃₪╃、取物料方便快捷☁↟•。
  5◕✘╃₪╃、加熱元件採用康奈爾發熱絲▩☁•,表面負荷高◕✘╃₪╃、經久耐用☁↟•。設計溫度1200℃▩☁•,升溫速率10℃/min☁↟•。
  6◕✘╃₪╃、可選配多路質量流量計▩☁•,數字顯示◕✘╃₪╃、氣體流量自動控制;內建不鏽鋼混氣箱▩☁•,每路氣體管路均配有逆止閥▩☁•,可透過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量☁↟•。
  7◕✘╃₪╃、等離子射頻電源↟·•··:大射頻功率達500W▩☁•,輸出頻率13.56MHz±0.005%▩☁•,輸入電源 208-240VAC▩☁•,單相50/60Hz☁↟•。
 
  三◕✘╃₪╃、技術引數↟·•··:

 

型號

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

設計溫度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控溫精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加熱區直徑(mm)

25 

 50

60 

80 

加熱區長度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加熱管長度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恆溫區長度(mm)

80 

80 

150 

150 

額定電壓(V)

220 

220 

220 

220

額定功率(KVA)

1.2 

1.2 

射頻電源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空機組

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供氣系統

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 

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